TLP183(GB-TPL vs TLP182(GR-TPL مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ TLP183(GB-TPL بواسطة Toshiba و TLP182(GR-TPL بواسطة Toshiba. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل TLP183(GB-TPL TLP182(GR-TPL
العلامة التجارية Toshiba Toshiba
الفئة Optocouplers Optocouplers
حالة دورة الحياة نشط نشط
Manufacturer Toshiba Semiconductor and Storage —
Product Type Phototransistor Output Optocoupler Phototransistor Output Optocoupler
Number of Channels 1 —
Input Type DC (InGaAs Infrared LED) —
نوع الخرج Phototransistor (BJT) —
Isolation Voltage 3750 Vrms 3750 Vrms
العلبة 6-SO (SO6, 4-pin functional) 6-SO (4-lead SO6), surface mount
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
Forward Current (IF) 50 mA max —
Reverse Voltage (VR) 6 V max —
Forward Voltage (VF) 1.25 V typ at IF=10 mA —
جهد المجمع-الباعث (Vceo) 80 V max 80 V (min)
Emitter-Collector Voltage (VECO) 7 V max —
تيار المجمّع (Ic) 50 mA max —
CTR (Current Transfer Ratio) 50% min (IF=5 mA, VCE=5 V) - GB rank —
درجة حرارة التشغيل -55 C to +125 C —
Storage Temperature -55 C to +150 C —
CTR Rank GB (50-600% range) —
Rise Time (tr) 5 us typ —
Fall Time (tf) 5 us typ —
حالة RoHS Compliant —
Tape and Reel Packaging TPL (L direction, 3000 pcs/reel) —
Packing Option Code E (RoHS) —
Input Configuration — AC (two antiparallel InGaAs IR LEDs)
تكوين الخرج — Single NPN Phototransistor, 1 Channel
CTR Rank (GR) — 100% to 300% (IF = 5 mA, VCE = 5 V)
CTR Min (low current) — 50% (IF = +/-0.5 mA, VCE = 5 V)
نطاق درجة حرارة التشغيل — -55C to +125C
عدد الدبابيس — 6 (4 functional leads)
Tape and Reel Orientation — L-direction (TPL)
RoHS Compliance — Yes (E suffix)
مستوى MSL — 1 (Unlimited)
Input LED Material — InGaAs infrared

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر