TLP183(GB-TPL,E vs TLP183(GR) مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ TLP183(GB-TPL,E بواسطة Toshiba و TLP183(GR) بواسطة Toshiba. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل TLP183(GB-TPL,E TLP183(GR)
العلامة التجارية Toshiba Toshiba
الفئة Optocouplers Optocouplers
حالة دورة الحياة نشط نشط
Product Type Phototransistor Output Optocoupler —
Number of Channels 1 1
Isolation Voltage (rms) 3750 Vrms —
العلبة 6-SOP (4-lead SO6), surface mount SO6 (4-pin surface mount)
CTR Rank GB (100% to 600% at IF=5 mA, VCE=5 V) —
Forward Current (IF) max 50 mA —
Reverse Voltage (VR) max 5 V —
Collector-Emitter Voltage (VCEO) max 80 V —
Emitter-Base Voltage (VEBO) max 7 V —
Collector Current (IC) max 50 mA —
نطاق درجة حرارة التشغيل -55°C to +125°C —
Input LED Type GaAs infrared emitting diode —
Output Transistor Type Silicon NPN phototransistor —
نوع التركيب Surface Mount (SMT) Surface Mount
Packaging Tape and Reel (TPL suffix) —
حالة RoHS RoHS compatible Compliant
Applications PLC, AC Adapter, I/O Interface, Office Machine —
نوع الخرج — Phototransistor (DC input, transistor output)
Isolation Voltage — 3750 Vrms (minimum)
Current Transfer Ratio (CTR) — 50% minimum @ IF=0.5 mA, VCE=5 V (GR bin: 100-300% @ IF=5 mA)
جهد المجمع-الباعث (Vceo) — 80 V minimum
Emitter-Collector Voltage (VECO) — 6 V minimum
Collector Current — 50 mA maximum
Forward Current (IF) — 50 mA maximum
Forward Voltage (VF) — [DATA_NEEDED: typical VF @ IF=10 mA]
Switching Time (tR, tF) — 2 us typical
درجة حرارة التشغيل — -55C to +125C
مستوى MSL — [DATA_NEEDED: MSL rating]
CTR Bin — GR

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر