TLP183(GR) vs TLP182(GR-TPL مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ TLP183(GR) بواسطة Toshiba و TLP182(GR-TPL بواسطة Toshiba. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل TLP183(GR) TLP182(GR-TPL
العلامة التجارية Toshiba Toshiba
الفئة Optocouplers Optocouplers
حالة دورة الحياة نشط نشط
نوع الخرج Phototransistor (DC input, transistor output) —
Number of Channels 1 —
Isolation Voltage 3750 Vrms (minimum) 3750 Vrms
Current Transfer Ratio (CTR) 50% minimum @ IF=0.5 mA, VCE=5 V (GR bin: 100-300% @ IF=5 mA) —
جهد المجمع-الباعث (Vceo) 80 V minimum 80 V (min)
Emitter-Collector Voltage (VECO) 6 V minimum —
Collector Current 50 mA maximum —
Forward Current (IF) 50 mA maximum —
Forward Voltage (VF) [DATA_NEEDED: typical VF @ IF=10 mA] —
Switching Time (tR, tF) 2 us typical —
درجة حرارة التشغيل -55C to +125C —
العلبة SO6 (4-pin surface mount) 6-SO (4-lead SO6), surface mount
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
مستوى MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] 1 (Unlimited)
حالة RoHS Compliant —
CTR Bin GR —
Product Type — Phototransistor Output Optocoupler
Input Configuration — AC (two antiparallel InGaAs IR LEDs)
تكوين الخرج — Single NPN Phototransistor, 1 Channel
CTR Rank (GR) — 100% to 300% (IF = 5 mA, VCE = 5 V)
CTR Min (low current) — 50% (IF = +/-0.5 mA, VCE = 5 V)
نطاق درجة حرارة التشغيل — -55C to +125C
عدد الدبابيس — 6 (4 functional leads)
Tape and Reel Orientation — L-direction (TPL)
RoHS Compliance — Yes (E suffix)
Input LED Material — InGaAs infrared

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر