UCC21520Q-Q1 vs UCC21521DWR مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ UCC21520Q-Q1 بواسطة Texas Instruments و UCC21521DWR بواسطة Texas Instruments. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

Texas Instruments
UCC21520Q-Q1 UCC21520Q-Q1 - 4A/6A 5.7kVRMS Isolated Dual Gate Driver | TI

UCC21520Q-Q1 - 4A/6A 5.7kVRMS Isolated Dual Gate Driver | TI

UCC21520Q-Q1 ✓ نشط
Texas Instruments
UCC21521DWR UCC21521 - 4A/6A 5.7kVrms Isolated Gate Driver | TI

UCC21521 - 4A/6A 5.7kVrms Isolated Gate Driver | TI

UCC21521DWR ✓ نشط

مقارنة المواصفات

المعامل UCC21520Q-Q1 UCC21521DWR
العلامة التجارية Texas Instruments Texas Instruments
الفئة Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
حالة دورة الحياة نشط نشط
تكوين الخرج Dual-channel isolated gate driver —
Peak Source Current 4 A 4 A
Peak Sink Current 6 A 6 A
Isolation Rating 5.7 kVRMS (reinforced) 5700 Vrms
Isolation Technology Capacitive (SiO2) Capacitive coupling
CMTI 125 V/ns minimum 100 V/ns (minimum)
Maximum Switching Frequency 5 MHz —
UVLO Yes, on all supply pins (8-V UVLO variant) —
Input Threshold TTL and CMOS compatible, independent of VDD TTL and CMOS compatible (3.3 V logic)
Control Pins INA, INB, DIS (disable) —
Target Power Devices Power MOSFETs, IGBTs, SiC MOSFETs —
العلبة 16-SOIC wide-body (DWQ), surface mount SOIC-16 (DW)
Automotive Qualification AEC-Q100 (Q1) —
Propagation Delay [DATA_NEEDED: typical propagation delay value] 19 ns (typical)
درجة حرارة التشغيل [DATA_NEEDED: operating temperature range] -40C to +125C
حالة RoHS Compliant Compliant
Channel Count — 2
Delay Matching — 5 ns (maximum)
Pulse-Width Distortion — 6 ns (maximum)
Minimum Pulse Width — 10 ns
Max Switching Frequency — 5 MHz
Enable / Disable Pin — Yes (DIS)
نوع التركيب — Surface Mount
Configurations — Dual low-side, dual high-side, or half-bridge

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر