UCC21521DWR vs UCC21520Q-Q1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ UCC21521DWR بواسطة Texas Instruments و UCC21520Q-Q1 بواسطة Texas Instruments. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

Texas Instruments
UCC21521DWR UCC21521 - 4A/6A 5.7kVrms Isolated Gate Driver | TI

UCC21521 - 4A/6A 5.7kVrms Isolated Gate Driver | TI

UCC21521DWR ✓ نشط
Texas Instruments
UCC21520Q-Q1 UCC21520Q-Q1 - 4A/6A 5.7kVRMS Isolated Dual Gate Driver | TI

UCC21520Q-Q1 - 4A/6A 5.7kVRMS Isolated Dual Gate Driver | TI

UCC21520Q-Q1 ✓ نشط

مقارنة المواصفات

المعامل UCC21521DWR UCC21520Q-Q1
العلامة التجارية Texas Instruments Texas Instruments
الفئة Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
حالة دورة الحياة نشط نشط
Channel Count 2 —
Peak Source Current 4 A 4 A
Peak Sink Current 6 A 6 A
Isolation Rating 5700 Vrms 5.7 kVRMS (reinforced)
CMTI 100 V/ns (minimum) 125 V/ns minimum
Propagation Delay 19 ns (typical) [DATA_NEEDED: typical propagation delay value]
Delay Matching 5 ns (maximum) —
Pulse-Width Distortion 6 ns (maximum) —
Minimum Pulse Width 10 ns —
Max Switching Frequency 5 MHz —
Isolation Technology Capacitive coupling Capacitive (SiO2)
Input Threshold TTL and CMOS compatible (3.3 V logic) TTL and CMOS compatible, independent of VDD
Enable / Disable Pin Yes (DIS) —
درجة حرارة التشغيل -40C to +125C [DATA_NEEDED: operating temperature range]
العلبة SOIC-16 (DW) 16-SOIC wide-body (DWQ), surface mount
نوع التركيب Surface Mount —
Configurations Dual low-side, dual high-side, or half-bridge —
حالة RoHS Compliant Compliant
تكوين الخرج — Dual-channel isolated gate driver
Maximum Switching Frequency — 5 MHz
UVLO — Yes, on all supply pins (8-V UVLO variant)
Control Pins — INA, INB, DIS (disable)
Target Power Devices — Power MOSFETs, IGBTs, SiC MOSFETs
Automotive Qualification — AEC-Q100 (Q1)

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر