UCC21530 vs UCC21530Q-Q1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ UCC21530 بواسطة Texas Instruments و UCC21530Q-Q1 بواسطة Texas Instruments. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

Texas Instruments
UCC21530 UCC21530 - 4A/6A 5.7kVRMS Isolated Dual Gate Driver | TI

UCC21530 - 4A/6A 5.7kVRMS Isolated Dual Gate Driver | TI

UCC21530 ✓ نشط
Texas Instruments
UCC21530Q-Q1 UCC21530Q-Q1 - 4A/6A 5.7kVRMS Isolated Gate Driver | TI

UCC21530Q-Q1 - 4A/6A 5.7kVRMS Isolated Gate Driver | TI

UCC21530Q-Q1 ✓ نشط

مقارنة المواصفات

المعامل UCC21530 UCC21530Q-Q1
العلامة التجارية Texas Instruments Texas Instruments
الفئة Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
حالة دورة الحياة نشط نشط
القنوات 2 (isolated dual-channel) —
Peak Output Current (Source) 4 A —
Peak Output Current (Sink) 6 A —
Isolation Type Capacitive, reinforced —
Isolation Rating 5700 Vrms 5.7 kVRMS (reinforced)
CMTI (Common-Mode Transient Immunity) 125 V/ns minimum 125 V/ns (minimum)
Max Switching Frequency 5 MHz —
Channel-to-Channel Spacing 3.3 mm 3.3 mm
دبوس التمكين Yes Yes
Programmable Dead Time Yes (DT pin) —
UVLO Yes, input and output sides —
Target Power Devices IGBT, Si MOSFET, SiC MOSFET —
Propagation Delay [DATA_NEEDED: propagation delay typ] —
العلبة SOIC-14 (DWK), surface mount SOIC-14 (DWK)
درجة حرارة التشغيل [DATA_NEEDED: operating temperature range] [DATA_NEEDED: temperature range]
Supply Voltage (VDD) [DATA_NEEDED: VDD range] —
حالة RoHS Compliant Compliant
Output Peak Current (Source) — 4 A
Output Peak Current (Sink) — 6 A
Maximum Switching Frequency — 5 MHz
Number of Channels — 2
Configuration — Low-side, high-side, half-bridge, dual low-side
Dead Time — Programmable via DT pin resistor
Input Threshold — TTL and CMOS compatible
Driven Device Types — IGBT, Si MOSFET, SiC MOSFET
Qualification — AEC-Q100 (automotive)
نوع التركيب — Surface Mount
Supply Voltage VDDI — [DATA_NEEDED: VDDI range]

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر