UCC21550AQDWKRQ1 vs UCC21550BQDWRQ1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ UCC21550AQDWKRQ1 بواسطة Texas Instruments و UCC21550BQDWRQ1 بواسطة Texas Instruments. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

Texas Instruments
UCC21550AQDWKRQ1 UCC21550AQDWKRQ1 - 4A/6A 5kVRMS Isolated Gate Driver | TI

UCC21550AQDWKRQ1 - 4A/6A 5kVRMS Isolated Gate Driver | TI

UCC21550AQDWKRQ1 ✓ نشط

مقارنة المواصفات

المعامل UCC21550AQDWKRQ1 UCC21550BQDWRQ1
العلامة التجارية Texas Instruments Texas Instruments
الفئة Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
حالة دورة الحياة نشط نشط
Product Type Reinforced isolated dual-channel gate driver —
Peak Source Current 4 A 4 A
Peak Sink Current 6 A 6 A
Number of Channels 2 2
Isolation Voltage 5000 Vrms 5000 Vrms
Isolation Technology Capacitive coupling —
Configuration Two low-side, two high-side, or half-bridge Two low-side / two high-side / half-bridge
Dead Time Programmable via DT pin Programmable (external resistor)
Disable Function Yes (DIS pin) Yes
Input Threshold Logic TTL and CMOS compatible —
Target Switch Types Power MOSFET, SiC, GaN, IGBT —
Qualification Automotive (Q1) —
العلبة 14-SOIC (DWK) 16-SOIC (DW)
Part Marking 21550AQ —
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
نطاق درجة حرارة التشغيل [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range] [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Supply Voltage Range (VDD) [DATA_NEEDED: Supply Voltage Range] —
Driver Type — Dual-channel reinforced isolated gate driver
Isolation Type — Capacitive coupling
Isolation Grade — Reinforced isolation
UVLO Threshold — 8 V (driver supply)
Target Transistors — Power MOSFET, SiC MOSFET, GaN FET, IGBT
Automotive Qualification — AEC-Q100 qualified (Q1)
جهد التغذية التشغيلي — [DATA_NEEDED: VCCI / VDD operating range]
Common-Mode Transient Immunity — [DATA_NEEDED: CMTI value]

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر