UCC21550Q-Q1 vs UCC21550 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ UCC21550Q-Q1 بواسطة Texas Instruments و UCC21550 بواسطة Texas Instruments. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

Texas Instruments
UCC21550Q-Q1 UCC21550Q-Q1 - 4A/6A Isolated Dual Gate Driver | TI

UCC21550Q-Q1 - 4A/6A Isolated Dual Gate Driver | TI

UCC21550Q-Q1 ✓ نشط
Texas Instruments
UCC21550 UCC21550 - 4A/6A 5kVrms Isolated Dual Gate Driver | TI

UCC21550 - 4A/6A 5kVrms Isolated Dual Gate Driver | TI

UCC21550 ✓ نشط

مقارنة المواصفات

المعامل UCC21550Q-Q1 UCC21550
العلامة التجارية Texas Instruments Texas Instruments
الفئة Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
حالة دورة الحياة نشط نشط
Product Type Reinforced isolated dual-channel gate driver —
Peak Source Current 4 A 4 A
Peak Sink Current 6 A 6 A
Number of Channels 2 —
Isolation Rating 5000 Vrms (reinforced) 5000 Vrms (reinforced, UL1577)
Isolation Technology Capacitive coupling Capacitive (silicon dioxide)
Configurations Dual low-side, dual high-side, or half-bridge Dual low-side, dual high-side, or half-bridge
Programmable Dead Time Yes (single resistor) —
Target Transistors Power MOSFET, SiC, GaN, IGBT —
درجة حرارة التشغيل -40C to +150C -40C to +150C
العلبة 16-SOIC (DW) 16-SOIC (DW, 300 mil)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
Automotive Qualification AEC-Q100 qualified (Q1) UCC21550x-Q1 family AEC-Q100 qualified
Disable Function Yes —
حالة RoHS Compliant Compliant
جهد التغذية [DATA_NEEDED: VDD range] —
القنوات — 2 (dual-channel)
Supported Transistors — MOSFET, SiC, GaN, IGBT
Dead Time — Programmable via DT pin resistor
UVLO — Yes, on input and output supplies (A/B/C grade options)
CMTI — [DATA_NEEDED: common-mode transient immunity]
Propagation Delay — [DATA_NEEDED: typical propagation delay]

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر