UCC27322DGNR vs UCC27322DGN+UCC27322DGNR مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ UCC27322DGNR بواسطة Texas Instruments و UCC27322DGN+UCC27322DGNR بواسطة Texas Instruments. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

Texas Instruments
UCC27322DGN+UCC27322DGNR UCC27322DGN/DGNR - 9A Single LS MOSFET Driver w/ Enable | TI

UCC27322DGN/DGNR - 9A Single LS MOSFET Driver w/ Enable | TI

UCC27322DGN+UCC27322DGNR ✓ نشط

مقارنة المواصفات

المعامل UCC27322DGNR UCC27322DGN+UCC27322DGNR
العلامة التجارية Texas Instruments Texas Instruments
الفئة Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
حالة دورة الحياة نشط نشط
الوظيفة Single low-side gate driver —
Number of Channels 1 1
Peak Source Current 9 A —
Peak Sink Current 9 A —
Supply Voltage (VDD) 4 V to 15 V —
Logic Input Type Non-Inverting (TTL/CMOS) —
VIL / VIH Thresholds 1.1 V / 2.7 V —
Rise Time (typical, 1.8 nF load) 20 ns —
Fall Time (typical, 1.8 nF load) 20 ns —
Propagation Delay (typ) [DATA_NEEDED: propagation delay] —
دبوس التمكين Yes (active-high) Yes (active-high)
تكوين الخرج Split outputs (OUTH source, OUTL sink) Split outputs (OUTH/OUTL) for independent turn-on/turn-off
درجة حرارة التشغيل -40 C to +105 C -40 C to +105 C (DGN); -40 C to +125 C (Q1 variant)
العلبة HVSSOP-8 (DGN) PowerPAD 8-pin HVSSOP PowerPAD (DGN) 3.0 mm x 3.0 mm with exposed thermal pad
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
حالة RoHS Compliant Compliant
Driver Type — Single-channel low-side MOSFET/IGBT gate driver
Peak Output Current — 9 A source / 9 A sink
Input Voltage (VCC) — 4 V to 15 V
UVLO Threshold — 4 V (typ)
Input Thresholds — TTL/CMOS compatible
Output Polarity — Non-inverting
زمن الصعود — 20 ns (typ, 1.8 nF load)
زمن السقوط — 20 ns (typ, 1.8 nF load)
Propagation Delay — [DATA_NEEDED: propagation delay]
Output Architecture — TrueDrive bipolar/CMOS hybrid

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر