ULN2803APG vs ULN2803APG5M مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ ULN2803APG بواسطة Toshiba و ULN2803APG5M بواسطة Toshiba. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل ULN2803APG ULN2803APG5M
العلامة التجارية Toshiba Toshiba
الفئة Transistors Transistors
حالة دورة الحياة نشط نشط
Number of Channels 8 8
نوع الترانزستور 8x NPN Darlington Pairs —
Configuration Common-emitter, 8-channel sink driver —
جهد المجمع-الباعث (Vceo) 50 V 50 V
Continuous Collector Current (per channel) 500 mA 500 mA
Package Power Dissipation 760 mW (DIP-18) —
DC Current Gain (hFE) Typical > 1000 (Darlington) —
Input Base Resistor 2.7 kOhm —
Logic Input Compatibility 5 V CMOS / TTL —
Clamp Diodes Integral free-wheeling diodes on each output —
درجة حرارة التشغيل -40C to +85C —
نوع التركيب Through-Hole Through-Hole
العلبة DIP-18 (0.300 inch, 7.62 mm) 18-DIP (through-hole)
عدد الأطراف 18 —
حالة RoHS Compliant [DATA_NEEDED: explicit RoHS statement]
Manufacturer — Toshiba
Product Type — Darlington Transistor Array (8-ch sink driver)
Transistor Configuration — 8 NPN Darlington pairs, common emitter, open-collector outputs
Total Package Power Dissipation — 760 mW
Integral Clamp Diodes — Yes (freewheeling diodes for inductive loads)
Input Compatibility — 5 V CMOS / TTL logic, with internal base resistors
DC Current Gain (hFE) typ. — [DATA_NEEDED: hFE typical value]
Output Leakage Current — [DATA_NEEDED: Iceo leakage]
نطاق درجة حرارة التشغيل — [DATA_NEEDED: Tj/op temperature range]
Order Code Suffix — (5,M) = 5-piece pack, manufacturer flow

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر