ULN2803APG5M vs ULN2803APG مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ ULN2803APG5M بواسطة Toshiba و ULN2803APG بواسطة Toshiba. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل ULN2803APG5M ULN2803APG
العلامة التجارية Toshiba Toshiba
الفئة Transistors Transistors
حالة دورة الحياة نشط نشط
Manufacturer Toshiba —
Product Type Darlington Transistor Array (8-ch sink driver) —
Number of Channels 8 8
Transistor Configuration 8 NPN Darlington pairs, common emitter, open-collector outputs —
جهد المجمع-الباعث (Vceo) 50 V 50 V
Continuous Collector Current (per channel) 500 mA 500 mA
Total Package Power Dissipation 760 mW —
Integral Clamp Diodes Yes (freewheeling diodes for inductive loads) —
Input Compatibility 5 V CMOS / TTL logic, with internal base resistors —
DC Current Gain (hFE) typ. [DATA_NEEDED: hFE typical value] —
Output Leakage Current [DATA_NEEDED: Iceo leakage] —
نطاق درجة حرارة التشغيل [DATA_NEEDED: Tj/op temperature range] —
العلبة 18-DIP (through-hole) DIP-18 (0.300 inch, 7.62 mm)
نوع التركيب Through-Hole Through-Hole
حالة RoHS [DATA_NEEDED: explicit RoHS statement] Compliant
Order Code Suffix (5,M) = 5-piece pack, manufacturer flow —
نوع الترانزستور — 8x NPN Darlington Pairs
Configuration — Common-emitter, 8-channel sink driver
Package Power Dissipation — 760 mW (DIP-18)
DC Current Gain (hFE) — Typical > 1000 (Darlington)
Input Base Resistor — 2.7 kOhm
Logic Input Compatibility — 5 V CMOS / TTL
Clamp Diodes — Integral free-wheeling diodes on each output
درجة حرارة التشغيل — -40C to +85C
عدد الأطراف — 18

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر