ULN2803APGOM vs ULN2803APG مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ ULN2803APGOM بواسطة Toshiba و ULN2803APG بواسطة Toshiba. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل ULN2803APGOM ULN2803APG
العلامة التجارية Toshiba Toshiba
الفئة Transistors Transistors
حالة دورة الحياة نشط نشط
Number of Channels 8 8
نوع الترانزستور 8x NPN Darlington (open-collector sink) 8x NPN Darlington Pairs
جهد المجمع-الباعث (Vceo) 50 V 50 V
Continuous Collector Current (IC) 500 mA per channel —
Peak Collector Current (ICP) [DATA_NEEDED: peak collector current per channel] —
DC Current Gain (hFE) 2000 typ at low IC (Darlington cascade) Typical > 1000 (Darlington)
Input Base Resistor 2.7 kOhm (5 V CMOS-compatible) 2.7 kOhm
Clamp Diodes Integral free-wheeling diodes on all 8 channels Integral free-wheeling diodes on each output
العلبة PDIP-18 (DIP-18, 300 mil, through-hole) DIP-18 (0.300 inch, 7.62 mm)
Total Package Dissipation (PD) 2.25 W at 25 C ambient —
نطاق درجة حرارة التشغيل -40 C to +85 C —
Storage Temperature Range -55 C to +150 C —
نوع التركيب Through Hole (THT) Through-Hole
مستوى MSL Not applicable (through-hole) —
Lead-Free / RoHS Status Compliant (verify per lot) —
Manufacturer Toshiba —
Marking Suffix (O,M) indicates Toshiba factory packaging/tray code —
Configuration — Common-emitter, 8-channel sink driver
Continuous Collector Current (per channel) — 500 mA
Package Power Dissipation — 760 mW (DIP-18)
Logic Input Compatibility — 5 V CMOS / TTL
درجة حرارة التشغيل — -40C to +85C
عدد الأطراف — 18
حالة RoHS — Compliant

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر