VNH7100BASTR vs VNH7100ASTR مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ VNH7100BASTR بواسطة STMicroelectronics و VNH7100ASTR بواسطة STMicroelectronics. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل VNH7100BASTR VNH7100ASTR
العلامة التجارية STMicroelectronics STMicroelectronics
الفئة Motor Drivers Motor Drivers
حالة دورة الحياة نشط NRND
الوظيفة Fully integrated H-bridge motor driver Full-bridge (H-bridge) DC motor driver
البنية الطوبولوجية Full H-bridge with dual high-side + dual low-side MOSFETs Dual high-side + dual low-side monolithic MOSFET bridge
Supply Voltage Range 4 V to 28 V 4 V to 28 V
Continuous Output Current 12 A 30 A
On-Resistance per High-Side Switch (typ.) 60 mΩ —
PWM Switching Frequency Up to 20 kHz up to 20 kHz
Technology VIPower M0 (smart-power) ST VIPower M0 smart-power
نطاق درجة حرارة التشغيل -40 °C to +150 °C (junction) —
العلبة PowerSSO-16 (SO-16N with exposed pad) 16-pin SO (SOIC-16N) with exposed thermal pad
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
عدد المخارج 1 (H-bridge) —
Automotive Qualification AEC-Q100 qualified —
Protection Features UVLO, overvoltage clamp, thermal shutdown, current limit —
Diagnostic Output Yes (fault feedback pin) —
حالة RoHS Compliant Compliant
Peak Output Current — 60 A
RDS(on) High-Side per Switch — [DATA_NEEDED: RDS(on) per switch typical/max]
RDS(on) Low-Side per Switch — [DATA_NEEDED: RDS(on) per switch typical/max]
درجة حرارة التشغيل — -40 C to +150 C (junction)
Built-in Protections — Thermal shutdown, overcurrent, undervoltage, cross-conduction prevention
Charge Pump — Integrated
Status Flag Output — Yes
AEC-Q100 Qualification — Qualified (automotive grade)

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر