BSC050NE2LSATMA1 vs IPD038N06NF2SATMA1 তুলনা

. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা BSC050NE2LSATMA1 নির্দিষ্ট Infineon ও IPD038N06NF2SATMA1 নির্দিষ্ট Infineon. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন

Infineon
BSC050NE2LSATMA1 BSC050NE2LSATMA1 - 25V 58A N-Ch OptiMOS MOSFET | Infineon

BSC050NE2LSATMA1 - 25V 58A N-Ch OptiMOS MOSFET | Infineon

BSC050NE2LSATMA1 ✓ সক্রিয়
Infineon
IPD038N06NF2SATMA1 IPD038N06NF2SATMA1 - 60V 120A OptiMOS N-MOSFET | Infineon

IPD038N06NF2SATMA1 - 60V 120A OptiMOS N-MOSFET | Infineon

IPD038N06NF2SATMA1 ✓ সক্রিয়

বিশিষ্টতা তুলনা

পারামিটার BSC050NE2LSATMA1 IPD038N06NF2SATMA1
ব্র্যান্ড Infineon Infineon
ক্যাটাগরি MOSFETs MOSFETs
লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস সক্রিয় সক্রিয়
FET Type N-Channel N-Channel
Drain-Source Voltage (V_DS) 25 V —
Continuous Drain Current (I_D) at Tc=25C 58 A —
Continuous Drain Current (I_D) at Ta=25C 39 A —
R_DS(on) max at V_GS=10V 5 mOhm —
R_DS(on) typical at V_GS=10V 4.2 mOhm —
Gate-Source Voltage (V_GS) max [DATA_NEEDED: V_GS max rating] —
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical] —
Power Dissipation at Ta=25C 2.5 W —
Power Dissipation at Tc=25C 28 W —
Technology OptiMOS 25V (trench) OptiMOS (Trench)
প্যাকেজ PG-TDSON-8-5 (SuperSO8 5x6 mm) PG-TO252-3 (DPAK)
মাউন্টিং টাইপ Surface Mount Surface Mount
অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর -55C to +150C —
RoHS স্ট্যাটাস Compliant Compliant
Drain-Source Voltage (VDS) — 60 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C — 120 A
Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C — 20 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: IDM]
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) at VGS=10V — 3.85 mΩ max
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) at VGS=4.5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5V]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th)]
Typical Gate Charge (Qg) at VGS=10V — 68 nC
Input Capacitance (Ciss) — 6700 pF
Output Capacitance (Coss) — 670 pF
Reverse Transfer Capacitance (Crss) — 43 pF
Power Dissipation (PD) at TA=25°C — 3 W
Power Dissipation (PD) at TC=25°C — 107 W
অপারেটিং জাংশন তাপমাত্রা — -55°C to +175°C
Channel Mode — Enhancement

ডেটাসফেইট ও সম্বল

সমস্ত পণ্যগুলি ব্রাউজ করুন BOM তৈরি করুন রিকোয়েস্ট কোয়ুট