BSC0902NSIATMA1 vs IPD060N03LGATMA1 তুলনা

. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা BSC0902NSIATMA1 নির্দিষ্ট Infineon ও IPD060N03LGATMA1 নির্দিষ্ট Infineon. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন

Infineon
BSC0902NSIATMA1 BSC0902NSIATMA1 - 30V N-Ch OptiMOS MOSFET, PG-TDSON-8 | Infineon

BSC0902NSIATMA1 - 30V N-Ch OptiMOS MOSFET, PG-TDSON-8 | Infineon

BSC0902NSIATMA1 ✓ সক্রিয়
Infineon
IPD060N03LGATMA1 IPD060N03LGATMA1 - 30V 50A OptiMOS N-Ch MOSFET | Infineon

IPD060N03LGATMA1 - 30V 50A OptiMOS N-Ch MOSFET | Infineon

IPD060N03LGATMA1 ✓ সক্রিয়

বিশিষ্টতা তুলনা

পারামিটার BSC0902NSIATMA1 IPD060N03LGATMA1
ব্র্যান্ড Infineon Infineon
ক্যাটাগরি MOSFETs MOSFETs
লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস সক্রিয় সক্রিয়
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 30V OptiMOS 30V
Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) Max 30 V —
Gate-Source Voltage (VGS) Max [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 23 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 100 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: IDM] —
On-State Resistance RDS(on) Max at VGS=10V 2.8 mOhm —
Gate Charge QG(0V..10V) 24 nC —
Output Charge QOSS 17 nC —
Power Dissipation (TA) 2.5 W —
Power Dissipation (TC) 48 W —
অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর -55C to +150C (junction) —
প্যাকেজ PG-TDSON-8-6 (TDSON-8) —
মাউন্টিং টাইপ Surface Mount Surface Mount
Built-in Diode Yes (single with built-in diode) —
MSL লেভেল [DATA_NEEDED: MSL rating] 1 (Unlimited)
RoHS স্ট্যাটাস Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
হ্যালোজেন মুক্ত Yes —
Polarity / Channel Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — 30 V
Continuous Drain Current (ID, TC=25C) — 50 A
Pulsed Drain Current (IDM, TC=25C, tp<=10us) — 200 A
Gate-Source Voltage (VGS) — +/-20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th), typ) — 1.7 V
On-State Resistance (RDS(on), VGS=10V) — 6.0 mOhm (typ) / 7.5 mOhm (max)
On-State Resistance (RDS(on), VGS=4.5V) — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=4.5V]
Total Gate Charge (Qg, typ) — 21 nC
Output Charge (Qoss, typ) — [DATA_NEEDED: Qoss]
Reverse Recovery Charge (Qrr) — [DATA_NEEDED: Qrr]
Power Dissipation (PD, TC=25C) — 56 W
অপারেটিং জাংশন তাপমাত্রা — -55C to +175C
Thermal Resistance Junction-to-Case (RthJC, max) — 2.5 C/W
Thermal Resistance Junction-to-Ambient (RthJA, max, std PCB) — 62 C/W
প্যাকেজ / কেস — PG-TO252-3 (DPAK)
Lead-Free / Halogen-Free — Yes / Yes
Packing — Tape & Reel (T/R), 2500 per reel
AEC-Q101 / Automotive Grade — Not qualified
Technology / Generation — OptiMOS 30V, trench MOSFET

ডেটাসফেইট ও সম্বল

সমস্ত পণ্যগুলি ব্রাউজ করুন BOM তৈরি করুন রিকোয়েস্ট কোয়ুট