BSZ100N03MSGATMA1 vs BSC050N04LSGATMA1 তুলনা
. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা BSZ100N03MSGATMA1 নির্দিষ্ট Infineon ও BSC050N04LSGATMA1 নির্দিষ্ট Infineon. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন
Infineon
BSZ100N03MSGATMA1 - 30V N-Ch OptiMOS 40A TSDSON-8 MOSFET | Infineon
BSZ100N03MSGATMA1 ✓ সক্রিয়
বিশিষ্টতা তুলনা
| পারামিটার | BSZ100N03MSGATMA1 | BSC050N04LSGATMA1 |
|---|---|---|
| ব্র্যান্ড | Infineon | Infineon |
| ক্যাটাগরি | MOSFETs | MOSFETs |
| লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস | সক্রিয় | সক্রিয় |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Part Family | OptiMOS 25V / 30V | — |
| ট্রানজিস্টর টাইপ | N-Channel MOSFET | — |
| Configuration | Single with built-in body diode | — |
| Maximum Drain-Source Voltage (VDS) | 30 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TA | 10 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | 40 A | — |
| Power Dissipation (PD) at TA | 2.1 W | — |
| Power Dissipation (PD) at TC | 30 W | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | [DATA_NEEDED: ±20 V typical per datasheet; verify in datasheet] | — |
| Technology | Trench MOSFET (OptiMOS) | OptiMOS 3 (trench MOSFET) |
| মাউন্টিং টাইপ | Surface Mount | Surface Mount |
| প্যাকেজ | PG-TSDSON-8 (5x6 mm) | PG-TDSON-8-5 (TDSON-8 EP, 5x6 mm) |
| Terminal Finish | Tin (Pb-free) | — |
| অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর | -55C to +150C (junction) | -55C to +150C |
| Qualification | JEDEC - target application qualified | — |
| Avalanche Tested | 100% (per JEDEC) | — |
| RoHS Compliance | Compliant (Pb-free plating) | — |
| হ্যালোজেন মুক্ত | Yes (per IEC 61249-2-21) | — |
| RDS(on) at VGS=10V (typical) | [DATA_NEEDED: see datasheet Diagram 1] | — |
| Gate Charge Qg (typical) | [DATA_NEEDED: see datasheet] | — |
| MSL লেভেল | MSL1 (per JEDEC J-STD-020) | 1 |
| FET Type | — | N-Channel |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | — | 40 V |
| Gate-to-Source Voltage (VGS) | — | ±20 V |
| Continuous Drain Current at 25C (ID, Ta) | — | 18 A |
| Continuous Drain Current at 25C (ID, Tc) | — | 85 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current IDM] |
| Power Dissipation at Ta (PD) | — | 2.5 W |
| Power Dissipation at Tc (PD) | — | 57 W |
| On-State Resistance (RDS(on)) | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) max at VGS=10V] |
| On-State Resistance (RDS(on)) at VGS=4.5V | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=4.5V] |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/min/max] |
| Avalanche Energy Rated | — | Yes (single-pulse avalanche) |
| RoHS স্ট্যাটাস | — | Compliant |