IPB024N10N5ATMA1 vs IPB020N08N5ATMA1 তুলনা

. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা IPB024N10N5ATMA1 নির্দিষ্ট Infineon ও IPB020N08N5ATMA1 নির্দিষ্ট Infineon. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন

Infineon
IPB024N10N5ATMA1 IPB024N10N5ATMA1 - 100V 2.4mΩ OptiMOS 5 N-Channel MOSFET | Infineon

IPB024N10N5ATMA1 - 100V 2.4mΩ OptiMOS 5 N-Channel MOSFET | Infineon

IPB024N10N5ATMA1 ✓ সক্রিয়
Infineon
IPB020N08N5ATMA1 IPB020N08N5ATMA1 - 80V 2mOhm OptiMOS 5 N-FET | Infineon

IPB020N08N5ATMA1 - 80V 2mOhm OptiMOS 5 N-FET | Infineon

IPB020N08N5ATMA1 ✓ সক্রিয়

বিশিষ্টতা তুলনা

পারামিটার IPB024N10N5ATMA1 IPB020N08N5ATMA1
ব্র্যান্ড Infineon Infineon
ক্যাটাগরি MOSFETs MOSFETs
লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস সক্রিয় সক্রিয়
Technology OptiMOS 5 N-Channel MOSFET (trench, shielded gate) OptiMOS 5 (N-channel trench MOSFET)
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 80 V
Continuous Drain Current (ID, TC=25C) 180 A —
Power Dissipation (PD, TC=25C) 250 W —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 2.4 mΩ —
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ [DATA_NEEDED: VGS(th) value] —
Gate Charge Qg typ @ VGS=10V [DATA_NEEDED: Qg total gate charge] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg total gate charge] [DATA_NEEDED: Qg value]
Input Capacitance Ciss [DATA_NEEDED: Ciss value] —
Output Capacitance Coss [DATA_NEEDED: Coss value] —
Reverse Recovery Charge Qrr [DATA_NEEDED: Qrr value] —
অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর -55C to +175C (junction) —
প্যাকেজ PG-TO263-7 (D2PAK-7) PG-TO263-3 (D2PAK-2)
মাউন্টিং টাইপ Surface Mount Surface Mount
RoHS স্ট্যাটাস Compliant Compliant
MSL লেভেল 1 (unlimited floor life at <30C/85% RH) [DATA_NEEDED: MSL level]
Packaging Tape & Reel (13-inch reel) —
হ্যালোজেন মুক্ত Yes (per Infineon product family policy) —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — 120 A
Pulsed Drain Current (IDM) — 480 A
Maximum RDS(on) at VGS=10V — 2.0 mOhm
Gate-Source Voltage (VGS) max — +/- 20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) value]
Power Dissipation (PD) at Tc=25C — 300 W
অপারেটিং জাংশন তাপমাত্রা — -55C to +175C
Thermal Resistance Junction-to-Case (RthJC) — [DATA_NEEDED: RthJC value, approx 0.5 C/W]
Avalanche Energy Rated (EAS) — [DATA_NEEDED: EAS value]
Configuration — Single N-channel, 3-pin (2+Tab)

ডেটাসফেইট ও সম্বল

সমস্ত পণ্যগুলি ব্রাউজ করুন BOM তৈরি করুন রিকোয়েস্ট কোয়ুট