IQEH50NE2LM7UCGSCATMA1 vs IQE220N15NM5CGSCATMA1 তুলনা
. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা IQEH50NE2LM7UCGSCATMA1 নির্দিষ্ট Infineon ও IQE220N15NM5CGSCATMA1 নির্দিষ্ট Infineon. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন
Infineon
IQEH50NE2LM7UCGSCATMA1 - 25V OptiMOS 7 N-Ch MOSFET | Infineon
IQEH50NE2LM7UCGSCATMA1 ✓ সক্রিয়Infineon
IQE220N15NM5CGSCATMA1 - 150V 44A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon
IQE220N15NM5CGSCATMA1 ✓ সক্রিয়বিশিষ্টতা তুলনা
| পারামিটার | IQEH50NE2LM7UCGSCATMA1 | IQE220N15NM5CGSCATMA1 |
|---|---|---|
| ব্র্যান্ড | Infineon | Infineon |
| ক্যাটাগরি | MOSFETs | MOSFETs |
| লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস | সক্রিয় | সক্রিয় |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | OptiMOS 7 Power-Transistor | — |
| ট্রানজিস্টর টাইপ | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) Max | 25 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TA | 54 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | 422 A | — |
| RDS(on) Max | 0.5 mΩ | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typ | 2 V | — |
| Power Dissipation (PD) at TA | 2.5 W | — |
| Power Dissipation (PD) at TC | 150 W | — |
| Maximum Junction Temperature | 175 °C | — |
| প্যাকেজ | PG-WHTFN-9-1 (surface mount) | PG-WHTFN-9 (Source-Down) |
| মাউন্টিং টাইপ | Surface Mount | Surface Mount |
| Series | OptiMOS 7 | OptiMOS 5 |
| Technology | Silicon N-Channel Power MOSFET | OptiMOS 5, Source-Down |
| FET Type | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 150 V |
| Continuous Drain Current at Ta (ID) | — | 7 A |
| Continuous Drain Current at Tc (ID) | — | 44 A |
| Power Dissipation at Ta (PD) | — | 2.5 W |
| Power Dissipation at Tc (PD) | — | 100 W |
| On-Resistance (RDS(on)) | — | 22 milliohm (max) |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | 4.6 V |
| অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর | — | -55C to +150C (junction) |
| RoHS স্ট্যাটাস | — | Compliant |