IRFR4615TRLPBF vs IRF520NPBF তুলনা
. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা IRFR4615TRLPBF নির্দিষ্ট Infineon ও IRF520NPBF নির্দিষ্ট Infineon. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন
বিশিষ্টতা তুলনা
| পারামিটার | IRFR4615TRLPBF | IRF520NPBF |
|---|---|---|
| ব্র্যান্ড | Infineon | Infineon |
| ক্যাটাগরি | MOSFETs | MOSFETs |
| লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস | সক্রিয় | সক্রিয় |
| Technology | IR MOSFET (N-Channel Enhancement Mode) | HEXFET (vertical DMOS) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 150 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | 33 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | [DATA_NEEDED: VGS max] | — |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | 42 mOhm | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 26 nC | — |
| Gate-Source Charge (Qgs) | [DATA_NEEDED: Qgs] | — |
| Gate-Drain Charge (Qgd) | [DATA_NEEDED: Qgd] | — |
| Power Dissipation (PD) at TC=25C | 144 W | — |
| Avalanche Energy (EAS) | 109 mJ | — |
| অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর | -55C to +175C | -55C to +175C |
| প্যাকেজ | TO-252AA (DPAK) | TO-220AB (through-hole) |
| মাউন্টিং টাইপ | Surface Mount | Through Hole |
| Lead-Free / RoHS | Yes (PBF suffix indicates Pb-free) | — |
| সিঙ্গেল পালস অ্যাভালাঞ্চ এনার্জি | 109 mJ | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Series | — | HEXFET |
| FET Type | — | N-Channel |
| Drain-to-Source Voltage (V_DSS) | — | 100 V |
| Continuous Drain Current (I_D) at Tc | — | 9.7 A |
| Pulsed Drain Current (I_DM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current value] |
| Gate-to-Source Voltage (V_GS) max | — | ±20 V |
| R_DS(on) max at V_GS=10V | — | 200 mOhm |
| Total Gate Charge (Q_g) | — | 16.7 nC |
| Power Dissipation (P_D) at Tc | — | 48 W |
| MSL লেভেল | — | 1 (unlimited) |
| RoHS স্ট্যাটাস | — | Compliant (Pb-free) |
| Lead-Free Finish | — | Yes (PBF suffix) |