K6X0808C1D-GF55000 vs K6X0808C1D-GF55T00 তুলনা

. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা K6X0808C1D-GF55000 নির্দিষ্ট Samsung Electronics ও K6X0808C1D-GF55T00 নির্দিষ্ট Samsung Electro-Mechanics. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন

Samsung Electronics
K6X0808C1D-GF55000 K6X0808C1D-GF55000 - 32Kx8 Async SRAM 55ns | Samsung Semiconductor

K6X0808C1D-GF55000 - 32Kx8 Async SRAM 55ns | Samsung Semiconductor

K6X0808C1D-GF55000 ✓ সক্রিয়
Samsung Electro-Mechanics
K6X0808C1D-GF55T00 K6X0808C1D-GF55T00 - 32Kx8 SRAM 55ns 28-SOP | Samsung

K6X0808C1D-GF55T00 - 32Kx8 SRAM 55ns 28-SOP | Samsung

K6X0808C1D-GF55T00 ✓ সক্রিয়

বিশিষ্টতা তুলনা

পারামিটার K6X0808C1D-GF55000 K6X0808C1D-GF55T00
ব্র্যান্ড Samsung Electronics Samsung Electro-Mechanics
ক্যাটাগরি Memory ICs Memory ICs
লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস সক্রিয় সক্রিয়
মেমরি টাইপ SRAM - Asynchronous SRAM - Asynchronous
মেমরি সাইজ 256 Kbit 256 Kbit
সংগঠন 32K x 8 32K x 8
Access Time 55 ns 55 ns
ইন্টারফেস Parallel Parallel
সাপ্লাই ভোল্টেজ 5 V [DATA_NEEDED: supply voltage range]
মাউন্টিং টাইপ Surface Mount Surface Mount
প্যাকেজ 28-SOP 28-SOP (450 mil)
অপারেটিং তাপমাত্রা [DATA_NEEDED: operating temperature range] [DATA_NEEDED: operating temperature range for GF grade]
Standby Current [DATA_NEEDED: standby current] [DATA_NEEDED: standby current]
Operating Current [DATA_NEEDED: operating current] [DATA_NEEDED: operating current]
Write Cycle Time [DATA_NEEDED: write cycle time] —
আউটপুট টাইপ Three-state, common data I/O —
Control Signals CE, OE, WE (active low) —
Memory Format Volatile, no refresh required —
RoHS স্ট্যাটাস [DATA_NEEDED: RoHS status] [DATA_NEEDED: RoHS status]
Technology Low-power CMOS CMOS
Clock Frequency — N/A (asynchronous)
Data Retention — Low data retention voltage supported
Packaging Variant — Tape & Reel (T00 suffix)

ডেটাসফেইট ও সম্বল

সমস্ত পণ্যগুলি ব্রাউজ করুন BOM তৈরি করুন রিকোয়েস্ট কোয়ুট