M29W800FT70N3E vs M29F800FT55N3E2 তুলনা
. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা M29W800FT70N3E নির্দিষ্ট Micron Technology ও M29F800FT55N3E2 নির্দিষ্ট Micron Technology. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন
Micron Technology
M29F800FT55N3E2 - 8Mb 5V Parallel NOR Flash 55ns | Micron
M29F800FT55N3E2 ✓ সক্রিয়বিশিষ্টতা তুলনা
| পারামিটার | M29W800FT70N3E | M29F800FT55N3E2 |
|---|---|---|
| ব্র্যান্ড | Micron Technology | Micron Technology |
| ক্যাটাগরি | Flash | Memory ICs |
| লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস | সক্রিয় | সক্রিয় |
| মেমরি টাইপ | NOR Flash (Parallel) | NOR Flash |
| Density | 8 Mbit | 8389 kbits |
| সংগঠন | 1M x 8 / 512K x 16 | — |
| Access Time | 70 ns | 55 ns |
| Supply Voltage (VCC) | 2.7 V to 3.6 V | — |
| Programming / Erase Supply | Single supply at VCC (2.7 V to 3.6 V) | — |
| Boot Block Location | Top boot block (FT variant) | — |
| Bus Width | 8-bit or 16-bit (BYTE pin selectable) | — |
| ইন্টারফেস | Parallel, address/data bus | Parallel |
| অপারেটিং তাপমাত্রা | -40C to +125C | -40C to +125C |
| প্যাকেজ | 48-TSOP I (12 x 20 mm, 0.5 mm pitch) | 48-TSOP I |
| মাউন্টিং টাইপ | Surface Mount | Surface Mount |
| Standby Current | [DATA_NEEDED: standby current] | — |
| Program/Erase Endurance | [DATA_NEEDED: program/erase cycles] | 100,000 cycles per block (typical for family) |
| Data Retention | [DATA_NEEDED: data retention] | >20 years (typical for family) |
| Block Organization | [DATA_NEEDED: block size/organization] | — |
| RoHS স্ট্যাটাস | [DATA_NEEDED: RoHS status] | Compliant (E suffix = lead-free/RoHS) |
| Memory Organization | — | 512K x 16 (8 Mbit) |
| সাপ্লাই ভোল্টেজ | — | 5 V |
| Boot Block Architecture | — | Top Boot Block |
| Word/Byte Configuration | — | BYTE# pin selectable (16-bit / 8-bit) |
| Hardware Reset / Power-Down | — | RP# pin |
| Embedded Program/Erase Controller | — | Yes (byte/word program, block erase) |
| Ready/Busy Output | — | Yes |