1EDN7511BXUSA1 vs 1EDN7512GXTMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von 1EDN7511BXUSA1 von Infineon und 1EDN7512GXTMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Infineon
1EDN7512GXTMA1 1EDN7512GXTMA1 - 4A/8A Low-Side Gate Driver | Infineon

1EDN7512GXTMA1 - 4A/8A Low-Side Gate Driver | Infineon

1EDN7512GXTMA1 ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter 1EDN7511BXUSA1 1EDN7512GXTMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,95 $0,82
Driver Type Low-Side, Single Channel —
Number of Drivers 1 —
Anzahl der Ausgänge 1 1
Configuration Inverting, Non-Inverting —
Peak Source Current 4 A 4 A
Peak Sink Current 8 A 8 A
Anstiegszeit [DATA_NEEDED: rise time ns] [DATA_NEEDED: typical tr]
Abfallzeit 4.5 ns [DATA_NEEDED: typical tf]
Propagation Delay ±5 ns (matched) —
Betriebsversorgungsspannung [DATA_NEEDED: VCC range V] —
Input Logic Compatibility TTL / CMOS —
UVLO Protection Yes (integrated) —
Output Stage True low-impedance complementary rail-to-rail —
Betriebstemperaturbereich -40 C to +150 C -40 C to +125 C
Gehäuse PG-SOT23-6-2 (6-pin SOT-23) PG-WSON-6-1 (6-pin WSON with exposed pad)
Montageart Surface Mount (SMD/SMT) Surface Mount
Packaging Cut Tape (Tape & Reel available) —
RoHS-Status Compliant Compliant
Lead-Free Yes Yes
Funktion — Low-side gate driver, single channel
Logic Inputs — Inverting and Non-Inverting
Propagation Delay (typical) — 19 ns
Eingangsspannungsbereich — [DATA_NEEDED: VCC range]
Input Robustness (negative) — -10 V
UVLO — [DATA_NEEDED: UVLO threshold]
MSL-Level — [DATA_NEEDED: MSL rating]

Datenblätter & Ressourcen

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