1EDN7512GXTMA1 vs 1EDN7511BXUSA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von 1EDN7512GXTMA1 von Infineon und 1EDN7511BXUSA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Infineon
1EDN7512GXTMA1 1EDN7512GXTMA1 - 4A/8A Low-Side Gate Driver | Infineon

1EDN7512GXTMA1 - 4A/8A Low-Side Gate Driver | Infineon

1EDN7512GXTMA1 ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter 1EDN7512GXTMA1 1EDN7511BXUSA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,82 $0,95
Funktion Low-side gate driver, single channel —
Peak Source Current 4 A 4 A
Peak Sink Current 8 A 8 A
Anzahl der Ausgänge 1 1
Logic Inputs Inverting and Non-Inverting —
Propagation Delay (typical) 19 ns —
Eingangsspannungsbereich [DATA_NEEDED: VCC range] —
Input Robustness (negative) -10 V —
Anstiegszeit [DATA_NEEDED: typical tr] [DATA_NEEDED: rise time ns]
Abfallzeit [DATA_NEEDED: typical tf] 4.5 ns
UVLO [DATA_NEEDED: UVLO threshold] —
Betriebstemperaturbereich -40 C to +125 C -40 C to +150 C
Gehäuse PG-WSON-6-1 (6-pin WSON with exposed pad) PG-SOT23-6-2 (6-pin SOT-23)
Montageart Surface Mount Surface Mount (SMD/SMT)
MSL-Level [DATA_NEEDED: MSL rating] —
RoHS-Status Compliant Compliant
Lead-Free Yes Yes
Driver Type — Low-Side, Single Channel
Number of Drivers — 1
Configuration — Inverting, Non-Inverting
Propagation Delay — ±5 ns (matched)
Betriebsversorgungsspannung — [DATA_NEEDED: VCC range V]
Input Logic Compatibility — TTL / CMOS
UVLO Protection — Yes (integrated)
Output Stage — True low-impedance complementary rail-to-rail
Packaging — Cut Tape (Tape & Reel available)

Datenblätter & Ressourcen

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