1EDN7512GXTMA1 vs 2EDN7534RXTMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von 1EDN7512GXTMA1 von Infineon und 2EDN7534RXTMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Infineon
1EDN7512GXTMA1 1EDN7512GXTMA1 - 4A/8A Low-Side Gate Driver | Infineon

1EDN7512GXTMA1 - 4A/8A Low-Side Gate Driver | Infineon

1EDN7512GXTMA1 ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter 1EDN7512GXTMA1 2EDN7534RXTMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,82 $0,40
Funktion Low-side gate driver, single channel Low-side gate driver
Peak Source Current 4 A —
Peak Sink Current 8 A —
Anzahl der Ausgänge 1 —
Logic Inputs Inverting and Non-Inverting —
Propagation Delay (typical) 19 ns —
Eingangsspannungsbereich [DATA_NEEDED: VCC range] —
Input Robustness (negative) -10 V —
Anstiegszeit [DATA_NEEDED: typical tr] —
Abfallzeit [DATA_NEEDED: typical tf] —
UVLO [DATA_NEEDED: UVLO threshold] —
Betriebstemperaturbereich -40 C to +125 C —
Gehäuse PG-WSON-6-1 (6-pin WSON with exposed pad) PG-TSSOP-8
Montageart Surface Mount Surface Mount
MSL-Level [DATA_NEEDED: MSL rating] 1 (unlimited)
RoHS-Status Compliant Compliant
Lead-Free Yes Yes
Number of Channels — 2
Peak Output Current (source/sink) — 5 A / 5 A
Supply Voltage (VCC) — 4.5 V to 20 V
Propagation Delay (typ) — 19 ns
Input Logic Compatibility — LV-TTL
Input Voltage Tolerance — -12 V to +22 V (absolute max)
Ausgangskonfiguration — Non-inverting
Output Resistance (Ron) — <1 ohm (typ)
Under-Voltage Lockout (UVLO) — Yes
Betriebstemperatur — -40C to +125C

Datenblätter & Ressourcen

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