27C512-10 vs 27C256A-12 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von 27C512-10 von Texas Instruments und 27C256A-12 von NEC. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Texas Instruments
27C512-10 27C512-10 - 512Kbit (64Kx8) 100ns CMOS EPROM | Texas Instruments

27C512-10 - 512Kbit (64Kx8) 100ns CMOS EPROM | Texas Instruments

27C512-10 ✗ Abgekündigt

Spezifikationsvergleich

Parameter 27C512-10 27C256A-12
Marke Texas Instruments NEC
Kategorie Memory ICs Memory ICs
Lebenszyklusstatus Ende des Lebenszyklus Obsolete
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $2,70 $2,52
Speichergröße 512 Kbit 256 Kbit (32K x 8)
Speicherorganisation 64K x 8 32K x 8
Speichertyp OTP EPROM (CMOS) UV EPROM
Access Time (Speed Grade -10) 100 ns —
Supply Voltage (VCC) +5 V with +/-10% tolerance 5 V
Programming Voltage (VPP) +12.5 V [DATA_NEEDED: programming voltage VPP]
Standby Current 20 uA typical (CMOS standby) [DATA_NEEDED: standby current]
Operating Mode Totally static operation —
Schnittstelle Parallel, TTL compatible Parallel
Address Lines 15 (A0-A14) —
Data Lines 8 (Q0-Q7), tri-state outputs —
Control Signals /E (chip enable), /G (output enable) —
Pinout Standard JEDEC-approved 28-pin EPROM pinout —
Gehäuse 28-pin DIP 28-pin DIP
Montageart Through Hole Through Hole
Erase Method One-Time Programmable (not erasable) Ultraviolet light
Betriebstemperatur [DATA_NEEDED: operating temperature range] 0C to +70C (commercial)
RoHS-Status unknown unknown
Technology — CMOS
Access Time — 120 ns
Active Current — [DATA_NEEDED: active current]
Lebenszyklusstatus — Obsolete (legacy product)

Datenblätter & Ressourcen

Alle Produkte durchsuchen BOM erstellen Angebot anfordern