2ED2183S06FXUMA1 vs 2ED21834S06JXUMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von 2ED2183S06FXUMA1 von Infineon und 2ED21834S06JXUMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter 2ED2183S06FXUMA1 2ED21834S06JXUMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $1,05 $0,89
Driver Type Half-Bridge Gate Driver —
Number of Drivers 1 —
Anzahl der Ausgänge 1 (half-bridge: high-side + low-side) —
Configuration High Side, Low Side, Non-Inverting Half-bridge (high-side + low-side)
Maximum Offset Voltage 650 V —
Output Current (Sink/Source) 2.5 A typical —
Anstiegszeit 15 ns —
Abfallzeit 15 ns —
Supply Voltage (VCC) 10 V to 20 V —
Bootstrap Supply (VBS) 10 V to 20 V (typ.) —
Logic Input Voltage 3.3 V / 5 V compatible (HIN, LIN) —
Input Type Non-Inverting —
Bootstrap Diode Integrated —
Undervoltage Lockout (UVLO) VCC and VBS —
Betriebstemperatur -40 C to +125 C —
Gehäuse PG-DSO-8-53 (DSO-8) PG-DSO-14-49 (DSO-14)
Montageart Surface Mount Surface Mount
MSL-Level 2 —
Terminal Finish Tin (e3 per JESD-609) —
Technology SOI (Silicon-On-Insulator) SOI (Silicon-On-Insulator) high-voltage
RoHS-Status Compliant Compliant
Product Type — Half-Bridge Gate Driver IC
Maximum Offset Voltage (VBS) — 650 V
Typical Sink Current — 2.5 A
Typical Source Current — 2.5 A
Input Logic — Non-Inverting
Integrated Bootstrap Diode — Yes
Under-Voltage Lockout (UVLO) — Yes (VCC and VBS)
Anzahl der Pins — 14
Betriebstemperaturbereich — -40 °C to +125 °C
Standard Reel Quantity — 3000

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