2EDL5023U2DXTMA1 vs 2EDL5013U2DXTMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von 2EDL5023U2DXTMA1 von Infineon und 2EDL5013U2DXTMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter 2EDL5023U2DXTMA1 2EDL5013U2DXTMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $1,40 $0,85
Driver Configuration Half-Bridge (High-Side + Low-Side) High-Side, Low-Side (Half-Bridge)
Driver Type Non-Inverting —
Anzahl der Ausgänge 2 —
Bootstrap Voltage Rating 120 V 120 V max
Peak Gate Drive Current 3 A (typical sink/source) —
Number of Channels 1 (Half-Bridge) 2
Input Logic TTL-compatible Non-Inverting
Input Voltage (VDD) 5 V (gate drive supply) —
Enable Pin (EN) Active-High (logic high or left open enables) —
PWM Inputs HI (high-side), LI (low-side) —
Ground Return VSS —
Gehäuse PG-TSNP-12-5 PG-TSNP-12-5 (12-pin, 5x5 mm)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Betriebstemperatur -40C to +125C (typical industrial range) —
RoHS-Status Compliant Compliant
Tape and Reel Packaging Yes —
Peak Source Current — 3 A
Peak Sink Current — 3 A
Ausgangskonfiguration — Non-Inverting
Supply Voltage (VCC) — 4.5 V to 5.5 V
Rise Time (typ.) — 4.4 ns
Fall Time (typ.) — 3.5 ns
Miller Clamp — 7 A active Miller clamp
Bootstrap Diode — Integrated
UVLO — VCC and VBS under-voltage lockout
Betriebstemperaturbereich — -40C to +125C

Datenblätter & Ressourcen

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