2EDN7533BXTSA1 vs 1EDN7511BXUSA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von 2EDN7533BXTSA1 von Infineon und 1EDN7511BXUSA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter 2EDN7533BXTSA1 1EDN7511BXUSA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,51 $0,95
Product Type Dual-channel low-side gate driver IC —
Number of Channels 2 —
Logic Polarity Inverting —
Peak Source/Sink Current ±5 A —
Supply Voltage (VDD) 4.5 V to 20 V —
Propagation Delay (typ.) 19 ns —
Channel-to-Channel Skew [DATA_NEEDED: skew value] —
Input Compatibility LV-TTL, -12 V to +22 V absolute max tolerant —
UVLO Integrated under-voltage lockout —
Output Clamping Active gate voltage clamping —
Betriebstemperaturbereich -40 C to +125 C -40 C to +150 C
Gehäuse PG-SOT23-6-1 (6-pin SOT-23, 2.9x1.6 mm) PG-SOT23-6-2 (6-pin SOT-23)
Montageart Surface Mount Surface Mount (SMD/SMT)
MSL-Level [DATA_NEEDED: MSL rating] —
RoHS-Status Compliant Compliant
Driver Type — Low-Side, Single Channel
Number of Drivers — 1
Anzahl der Ausgänge — 1
Configuration — Inverting, Non-Inverting
Peak Source Current — 4 A
Peak Sink Current — 8 A
Anstiegszeit — [DATA_NEEDED: rise time ns]
Abfallzeit — 4.5 ns
Propagation Delay — ±5 ns (matched)
Betriebsversorgungsspannung — [DATA_NEEDED: VCC range V]
Input Logic Compatibility — TTL / CMOS
UVLO Protection — Yes (integrated)
Output Stage — True low-impedance complementary rail-to-rail
Packaging — Cut Tape (Tape & Reel available)
Lead-Free — Yes

Datenblätter & Ressourcen

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