2EDN7533BXTSA1 vs 2EDN7534RXTMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von 2EDN7533BXTSA1 von Infineon und 2EDN7534RXTMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter 2EDN7533BXTSA1 2EDN7534RXTMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,51 $0,40
Product Type Dual-channel low-side gate driver IC —
Number of Channels 2 2
Logic Polarity Inverting —
Peak Source/Sink Current ±5 A —
Supply Voltage (VDD) 4.5 V to 20 V —
Propagation Delay (typ.) 19 ns —
Channel-to-Channel Skew [DATA_NEEDED: skew value] —
Input Compatibility LV-TTL, -12 V to +22 V absolute max tolerant —
UVLO Integrated under-voltage lockout —
Output Clamping Active gate voltage clamping —
Betriebstemperaturbereich -40 C to +125 C —
Gehäuse PG-SOT23-6-1 (6-pin SOT-23, 2.9x1.6 mm) PG-TSSOP-8
Montageart Surface Mount Surface Mount
MSL-Level [DATA_NEEDED: MSL rating] 1 (unlimited)
RoHS-Status Compliant Compliant
Funktion — Low-side gate driver
Peak Output Current (source/sink) — 5 A / 5 A
Supply Voltage (VCC) — 4.5 V to 20 V
Propagation Delay (typ) — 19 ns
Input Logic Compatibility — LV-TTL
Input Voltage Tolerance — -12 V to +22 V (absolute max)
Ausgangskonfiguration — Non-inverting
Output Resistance (Ron) — <1 ohm (typ)
Under-Voltage Lockout (UVLO) — Yes
Betriebstemperatur — -40C to +125C
Lead-Free — Yes

Datenblätter & Ressourcen

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