2EDN7534RXTMA1 vs 1EDN7512GXTMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von 2EDN7534RXTMA1 von Infineon und 1EDN7512GXTMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Infineon
1EDN7512GXTMA1 1EDN7512GXTMA1 - 4A/8A Low-Side Gate Driver | Infineon

1EDN7512GXTMA1 - 4A/8A Low-Side Gate Driver | Infineon

1EDN7512GXTMA1 ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter 2EDN7534RXTMA1 1EDN7512GXTMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,40 $0,82
Funktion Low-side gate driver Low-side gate driver, single channel
Number of Channels 2 —
Peak Output Current (source/sink) 5 A / 5 A —
Supply Voltage (VCC) 4.5 V to 20 V —
Propagation Delay (typ) 19 ns —
Input Logic Compatibility LV-TTL —
Input Voltage Tolerance -12 V to +22 V (absolute max) —
Ausgangskonfiguration Non-inverting —
Output Resistance (Ron) <1 ohm (typ) —
Under-Voltage Lockout (UVLO) Yes —
Betriebstemperatur -40C to +125C —
Gehäuse PG-TSSOP-8 PG-WSON-6-1 (6-pin WSON with exposed pad)
Montageart Surface Mount Surface Mount
MSL-Level 1 (unlimited) [DATA_NEEDED: MSL rating]
RoHS-Status Compliant Compliant
Lead-Free Yes Yes
Peak Source Current — 4 A
Peak Sink Current — 8 A
Anzahl der Ausgänge — 1
Logic Inputs — Inverting and Non-Inverting
Propagation Delay (typical) — 19 ns
Eingangsspannungsbereich — [DATA_NEEDED: VCC range]
Input Robustness (negative) — -10 V
Anstiegszeit — [DATA_NEEDED: typical tr]
Abfallzeit — [DATA_NEEDED: typical tf]
UVLO — [DATA_NEEDED: UVLO threshold]
Betriebstemperaturbereich — -40 C to +125 C

Datenblätter & Ressourcen

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