2EP101RXTMA1 vs 2EP100RXTMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von 2EP101RXTMA1 von Infineon und 2EP100RXTMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter 2EP101RXTMA1 2EP100RXTMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,88 $0,55
Product Type Full-Bridge Transformer Driver PMIC Full-Bridge Transformer Driver PMIC
Topologie Full-bridge (H-bridge) with external transformer Full-bridge (H-bridge) with external transformer
Supply Voltage Range 5 V to 20 V —
Maximum Output Power 5 W —
Switching Frequency Option 1 50 kHz —
Switching Frequency Option 2 65 kHz —
Duty Cycle Option 1 12% —
Duty Cycle Option 2 17% —
Anzahl der Ausgänge 1 (full-bridge differential primary) —
Gehäuse PG-TSSOP-8 PG-TSSOP-8
Montageart Surface Mount Surface Mount
Betriebstemperaturbereich -40 °C to +125 °C [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Primary Application Isolated IGBT and SiC MOSFET gate driver supply —
RoHS Compliance Compliant —
Delivery Form Tape and Reel (XT suffix) —
Output Power (max) — 5 W
Supply Voltage (max) — 20 V
Supply Voltage (min, typical) — [DATA_NEEDED: min supply voltage]
Schaltfrequenz — Programmable via external resistor
Dead Time — Configurable
Ausgangskonfiguration — Drives external center-tapped transformer
Sanftanlauf — Built-in
Enable / Shutdown — Yes
Undervoltage Lockout (UVLO) — Built-in
Thermisches Abschalten — Built-in
Short-Circuit Protection — Built-in (primary-side current limit)
MSL-Level — [DATA_NEEDED: MSL rating]
RoHS-Status — Compliant
Target Applications — Isolated gate driver supplies, isolated DC-DC converters

Datenblätter & Ressourcen

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