2EP130RXTMA1 vs 1EBN1001AEXUMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von 2EP130RXTMA1 von Infineon und 1EBN1001AEXUMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter 2EP130RXTMA1 1EBN1001AEXUMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie Voltage Regulators Power MOSFET Drivers
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $1,20 $4,41
Part Number 2EP130RXTMA1 —
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Type Full-bridge transformer driver PMIC Isolated single-channel IGBT/MOSFET gate driver booster
Topologie Full-bridge (H-bridge), 2 outputs —
Supply Voltage Range 4.5 V to 20 V —
Output Power (typical) 5 W —
Switching Frequency Range 50 kHz to 695 kHz —
Duty Cycle Range 10 % to 50 % —
Anzahl der Ausgänge 2 (push-pull complementary) 2 (separate source and sink paths)
Gehäuse PG-TSSOP-8 with exposed pad PG-DSO-14-43 (DSO EP, 14-pin, Tape & Reel)
Pin-Anzahl 8 —
Montageart Surface Mount Surface Mount
Betriebstemperaturbereich -40 C to +125 C —
Sanftanlauf Yes —
Under-Voltage Lockout (UVLO) Yes —
Short-Circuit Protection Yes —
Over-Current Protection Yes —
Over-Temperature Protection Yes —
RoHS-Status Compliant Compliant
Series — EiceDRIVER™ Boost (1EBN family)
Configuration — High-Side / Low-Side (non-inverting booster)
Peak Output Current — ±15 A
Number of Drivers — 1
Input Signal — ASC input, active-clamping disable
Active Clamping — Yes (very fast reaction time)
Betriebstemperatur — -40 °C to +125 °C (automotive grade)
Automotive Qualification — AEC-Q100 qualified
MSL-Level — [DATA_NEEDED: MSL level]
Target Switching Stage — Motor drives > 10 kW (up to 400 A modules)

Datenblätter & Ressourcen

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