AR8031-AL1B-R vs DP83867CSRGZR Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von AR8031-AL1B-R von Qualcomm und DP83867CSRGZR von Texas Instruments. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter AR8031-AL1B-R DP83867CSRGZR
Marke Qualcomm Texas Instruments
Kategorie Interface ICs Interface ICs
Lebenszyklusstatus NRND Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $2,05 $6,45
Funktion 10/100/1000BASE-T Ethernet PHY transceiver —
Datenrate 10/100/1000 Mbps 10/100/1000 Mbps
MAC Interface RGMII v2.0, SGMII / 1000BASE-X RGMII, SGMII
Supply Voltage (Analog) 3.15 V to 3.45 V —
Supply Voltage (Digital I/O) 1.5 V / 1.8 V / 2.5 V / 3.3 V (VDDIO selectable) —
Internal LDOs Integrated 1.2V core LDO and 1.0V VDDIO LDO —
Receiver Hysteresis 25 mV —
Number of Drivers / Receivers 1 / 1 —
Duplex Full —
Auto-MDI/MDIX Yes (automatic direction control) —
IEEE Standards 802.3, 802.3u, 802.3ab, 802.3az (EEE), 802.1AS / 1588v2 —
Betriebstemperatur -40 C to +85 C (industrial grade AL1B) 0 C to 70 C (commercial)
Gehäuse 48-WFQFN Exposed Pad, 6 x 6 mm 48-VQFN (RGZ) 7x7 mm
Montageart Surface Mount (QFN-48-EP) Surface Mount
HBM ESD (MDI pins) 4 kV —
Cable Reach 100 m over CAT-5e / CAT-6 UTP —
Product Type — Ethernet Physical Layer Transceiver (PHY)
Ethernet Standards — 10BASE-Te, 100BASE-TX, 1000BASE-T
Pin-Anzahl — 48
Versorgungsspannung — [DATA_NEEDED: core supply voltage range]
I/O Voltage — 3.3 V, 2.5 V, or 1.8 V (configurable)
ESD Protection — > 8 kV IEC 61000-4-2 (direct contact)
RGMII Latency (TX) — < 90 ns
RGMII Latency (RX) — < 290 ns
Typical Power Consumption — 457 mW
Cable Diagnostics — Yes (built-in)
JTAG Support — Yes (boundary scan)
TSN Compliance — Yes (Time Sensitive Network)
Lead-Free / RoHS — Yes (compliant per TI product page)

Datenblätter & Ressourcen

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