AUIRS21271STR vs IRS21271STRPBF Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von AUIRS21271STR von Infineon und IRS21271STRPBF von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter AUIRS21271STR IRS21271STRPBF
Marke Infineon Infineon
Kategorie Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,83 $1,02
Driver Type High-Side Gate Driver —
Configuration Non-Inverting —
Number of Channels 1 1
Maximum Offset (Bootstrap) Voltage 600 V 600 V
Supply Voltage (VCC) 10 V to 20 V —
Output Current (Source/Sink) 290 mA / 290 mA (typ) —
Anstiegszeit 80 ns (typ) —
Abfallzeit 40 ns (typ) —
Propagation Delay 175 ns (typ) —
Betriebstemperaturbereich [DATA_NEEDED: operating temperature] -40C to +125C
Gehäuse 8-SOIC (SOIC-8) 8-SOIC (3.90 mm body width)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Automotive Grade AEC-Q100 Qualified —
Over-Current Protection Yes (integrated CS comparator) —
RoHS-Status Compliant —
Funktion — High-Side Gate Driver with Current Sense and Fault Output
Input Type — Non-Inverting
Gate Drive Voltage Range — 9 V to 20 V (automotive VBS range)
VCC Supply Voltage — 12 V to 20 V
Source Current (typical) — 0.29 A
Sink Current (typical) — 0.6 A
Logic Input Compatibility — CMOS / LSTTL, down to 3.3 V
Current Sense Comparator — Integrated (CS pin with reference)
Fault Output — Yes (open-drain FAULT pin)
Floating Channel Transient Immunity — Negative VS transient tolerant, dV/dt immune
MSL-Level — MSL 3
Lead-Free / RoHS — Yes (PBF suffix indicates lead-free)

Datenblätter & Ressourcen

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