BSC010N04LSATMA1 vs BSC022N04LS6ATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von BSC010N04LSATMA1 von Infineon und BSC022N04LS6ATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Infineon
BSC010N04LSATMA1 BSC010N04LSATMA1 - 40V 100A OptiMOS 5 N-FET | Infineon

BSC010N04LSATMA1 - 40V 100A OptiMOS 5 N-FET | Infineon

BSC010N04LSATMA1 ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter BSC010N04LSATMA1 BSC022N04LS6ATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,52 $0,66
Transistor Polarity N-Channel —
Drain-Source Breakdown Voltage (VDS) 40 V —
Gate-Source Voltage (VGS) Max +/- 20 V —
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) 100 A —
Continuous Drain Current (ID, Ta=25C) 38 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
On-Resistance RDS(on) Max @ VGS=10V 1.0 mOhm —
On-Resistance RDS(on) Test Condition VGS = 10 V, ID = 50 A —
Gate Threshold Voltage VGS(th) Typ 2 V —
Total Gate Charge Qg [DATA_NEEDED: total gate charge] —
Power Dissipation (Tc=25C) 139 W —
Power Dissipation (Ta=25C) 2.5 W —
Betriebstemperaturbereich -55C to +150C —
Gehäuse PG-TDSON-8 FL (SuperSO8 5x6) SuperSO8 5x6 (PG-TDSON-8-1)
Montageart Surface Mount Surface Mount
MSL-Level 1 —
RoHS / Halogen-Free RoHS compliant, halogen-free —
Technology OptiMOS 5 OptiMOS™ 6 (N-channel trench)
Avalanche Rated 100% avalanche tested —
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Drain-Source Voltage (VDS) — 40 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 27 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 100 A
Maximum Pulsed Drain Current (IDM) — 139 A
On-Resistance RDS(on) max — 2.2 mOhm at VGS=10 V
Power Dissipation (Ta) — 3 W
Power Dissipation (Tc) — 79 W
Channel Type — N-Channel
Pin-Anzahl — 8
Betriebstemperatur — -55 C to +175 C (junction)
RoHS-Status — Compliant

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