BSC019N04LSTATMA1 vs BSC076N04NDATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von BSC019N04LSTATMA1 von Infineon und BSC076N04NDATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter BSC019N04LSTATMA1 BSC076N04NDATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $1,21 $0,82
Technology OptiMOS 5 (N-channel trench MOSFET) Trench MOSFET (OptiMOS 3)
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V —
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) 161 A —
Continuous Drain Current (ID, Ta=25C) 28 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed ID limit] —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 1.9 mOhm —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=4.5V [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5V] —
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ 1.7 V —
Total Gate Charge Qg typ 85 nC —
Power Dissipation PD (Tc=25C) 94 W —
Betriebstemperaturbereich -55 C to +150 C —
Gehäuse TDSON-8 (SuperSO8) 5x6 mm —
Montageart Surface Mount Surface Mount
MSL-Level 1 (unlimited) —
RoHS-Status Compliant —
Lead-Free / Halogen-Free Yes / Yes —
Avalanche Rated Yes —
Manufacturer — Infineon Technologies
Series — OptiMOS 3
Configuration — Dual N-Channel (independent MOSFETs)
Drain-Source Voltage (VDS) max — 40 V
Continuous Drain Current (ID) — 20 A (Tc)
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 4 V (max, typical)
On-Resistance RDS(on) max — 7.6 mOhm
Power Dissipation (Ta) — 2.3 W
Power Dissipation (Tc) — 65 W
Qgd/Qgs Ratio — < 0.8 (high shot-through immunity)
Betriebs-Sperrschichttemperatur — -55 C to +175 C
Gehäuse / Bauform — PG-TDSON-8-4 (SuperSO8, 5x6 mm)
RoHS / Pb-Free — Compliant (Pb-free plating)
FET Type — 2x N-Channel MOSFET array

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