BSC019N04LSTATMA1 vs IAUC100N04S6N022ATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von BSC019N04LSTATMA1 von Infineon und IAUC100N04S6N022ATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Infineon
IAUC100N04S6N022ATMA1 IAUC100N04S6N022ATMA1 - 40V 100A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon

IAUC100N04S6N022ATMA1 - 40V 100A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon

IAUC100N04S6N022ATMA1 ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter BSC019N04LSTATMA1 IAUC100N04S6N022ATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $1,21 $0,82
Technology OptiMOS 5 (N-channel trench MOSFET) OptiMOS 6, N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V —
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) 161 A —
Continuous Drain Current (ID, Ta=25C) 28 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed ID limit] —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 1.9 mOhm —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=4.5V [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5V] —
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ 1.7 V —
Total Gate Charge Qg typ 85 nC —
Power Dissipation PD (Tc=25C) 94 W —
Betriebstemperaturbereich -55 C to +150 C -55C to +175C (junction)
Gehäuse TDSON-8 (SuperSO8) 5x6 mm PG-TDSON-8 (5x6 mm) leadless
Montageart Surface Mount Surface Mount
MSL-Level 1 (unlimited) 1 (per JEDEC J-STD-020)
RoHS-Status Compliant Compliant
Lead-Free / Halogen-Free Yes / Yes —
Avalanche Rated Yes —
Drain-Source Voltage (V_DSS) — 40 V
Continuous Drain Current (I_D, Tc) — 100 A
Power Dissipation (P_D, Tc) — 75 W
R_DS(on) (typ at V_GS=10V) — 2.2 mOhm
Polarity — N-Channel enhancement mode
Automotive Qualification — AEC-Q100 (IAUC family)
Pin-Anzahl — 8
Gate Threshold V_GS(th) — [DATA_NEEDED: gate threshold voltage]
Total Gate Charge Q_g — [DATA_NEEDED: total gate charge]
Lead-Free — Yes

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