BSC023N08NS5SCATMA1 vs BSC117N08NS5ATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von BSC023N08NS5SCATMA1 von Infineon und BSC117N08NS5ATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Infineon
BSC117N08NS5ATMA1 BSC117N08NS5ATMA1 - 80V 49A OptiMOS 5 N-FET | Infineon

BSC117N08NS5ATMA1 - 80V 49A OptiMOS 5 N-FET | Infineon

BSC117N08NS5ATMA1 ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter BSC023N08NS5SCATMA1 BSC117N08NS5ATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $1,05 $0,46
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number BSC023N08NS5SCATMA1 BSC117N08NS5ATMA1
Technology OptiMOS 5 (N-channel trench MOSFET) OptiMOS 5
Drain-Source Voltage (VDS) 80 V —
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) 202 A —
Power Dissipation (PD, Tc=25°C) 188 W —
On-State Resistance RDS(on) typ. 2.3 mΩ at VGS=10 V, ID=50 A —
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ. 3.8 V —
Total Gate Charge Qg 98 nC at VGS=10 V —
Input Capacitance Ciss 6.8 nF —
Output Capacitance Coss 74 pF —
Thermal Resistance RthJC 0.72 K/W —
Betriebs-Sperrschichttemperatur -55 °C to +175 °C —
Gehäuse PG-WSON-8-2 (SuperSO8 DSC) PG-TDSON-8-7 (SuperSO8 5x6)
Montageart Surface Mount Surface Mount
RoHS-Status Compliant Compliant
Transistortyp — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) max — 80 V
Continuous Drain Current (ID) max — 49 A (Tc)
On-State Resistance (RDS(on)) max — 11.7 mOhm
Power Dissipation (Ta) — 2.5 W
Power Dissipation (Tc) — 50 W
Pin-Anzahl — 8
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) value]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg value]
Betriebstemperaturbereich — -55 C to +150 C (typical MOSFET junction)
Lead-Free — Yes
MSL-Level — 1

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