BSC030N03LSGATMA1 vs BSZ065N03LSATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von BSC030N03LSGATMA1 von Infineon und BSZ065N03LSATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter BSC030N03LSGATMA1 BSZ065N03LSATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,38 $0,38
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS 3 OptiMOS 30V
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (Vdss) 30 V —
Continuous Drain Current (Id) @ Tc=25C 100 A —
Continuous Drain Current (Id) @ Ta=25C 23 A —
RDS(on) Max @ VGS=10V 3 mOhm —
RDS(on) Max @ VGS=4.5V [DATA_NEEDED: typical RDS(on) at VGS=4.5V] —
Gate Threshold Voltage (Vgs th) Typ 2.2 V —
Gate Charge (Qg) Typ @ VGS=15V 55 nC —
Output Charge (Qoss) 66 pF —
Input Capacitance (Ciss) Typ 4.3 nF —
Power Dissipation (Pd) @ Ta=25C 2.5 W —
Power Dissipation (Pd) @ Tc=25C 69 W —
Betriebs-Sperrschichttemperatur -55C to +150C —
Gehäuse PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6 mm) —
Montageart Surface Mount Surface Mount
RoHS-Status Compliant Compliant
MSL-Level 1 1
Avalanche Rated Yes (100% tested) —
Transistortyp — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 30 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — 12 A
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 40 A
Power Dissipation (PD) at TA=25C — 2.1 W
Power Dissipation (PD) at TC=25C — 26 W
Gehäuse / Bauform — PG-TSDSON-8-FL (S308)
Configuration — Single N-Channel
Technology — Trench MOSFET (OptiMOS)
Betriebstemperaturbereich — -55C to +150C (junction)
Gate Drive (typical) — 4.5 V

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