BSC034N06NSATMA1 vs BSC0501NSIATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von BSC034N06NSATMA1 von Infineon und BSC0501NSIATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter BSC034N06NSATMA1 BSC0501NSIATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,65 $0,65
Polarity N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V 30 V
Gate-Source Voltage (VGS) [DATA_NEEDED: VGS max rating] ±20 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 100 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: IDM] [DATA_NEEDED: IDM]
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 3.4 mOhm —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=4.5V [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5V] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th)] [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg] [DATA_NEEDED: Qg typical]
Power Dissipation at Ta=25C 2.5 W —
Power Dissipation at Tc=25C 74 W —
Betriebstemperaturbereich -55C to +150C —
Technology OptiMOS 5 Trench-gate OptiMOS 5
Gehäuse PG-TDSON-8-7 (SuperSO8 5x6 mm) PG-TDSON-8-6 (SuperSO8)
Montageart Surface Mount Surface Mount
MSL-Level [DATA_NEEDED: MSL level] 1 (per JEDEC J-STD-020)
RoHS-Status Compliant Compliant
Manufacturer — Infineon
Product Family — OptiMOS 5 25V/30V
Transistortyp — N-Channel MOSFET
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 29 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 100 A
Power Dissipation at Ta (PD) — 2.5 W
Power Dissipation at Tc (PD) — 50 W
On-Resistance (RDS(on)) — [DATA_NEEDED: RDS(on) max at 10V VGS]
Betriebs-Sperrschichttemperatur — -55C to +150C
Avalanche Rated — Yes

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