BSC039N06NSATMA1 vs BSC014N06NSATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von BSC039N06NSATMA1 von Infineon und BSC014N06NSATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter BSC039N06NSATMA1 BSC014N06NSATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,46 $0,89
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS 5 —
Transistortyp N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V 60 V
Continuous Drain Current (ID) at TA 19 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC 100 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: IDM pulsed value at TC] [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 3.9 mOhm —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=4.5V [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5V] —
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical and min/max] —
Power Dissipation at TA (PD) 2.5 W —
Power Dissipation at TC (PD) 69 W —
Betriebs-Sperrschichttemperatur -55C to +150C —
Gehäuse PG-TDSON-8-6 (TDSON EP, 5x6 mm) PG-TDSON-8-17 (SuperSO8 5x6 mm)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Anzahl der Pins 8 —
Gate Drive Voltage (VGS) ±20 V max —
Technology OptiMOS 5 (TrenchFET-style) OptiMOS 5 (shielded-gate trench)
MSL-Level [DATA_NEEDED: MSL rating] 1
RoHS-Status Compliant Compliant
Product Family — OptiMOS 5
Gate-Source Voltage (VGS) Max — +/- 20 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 30 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 100 A
On-Resistance RDS(on) Typ @ VGS=10V — 1.4 mOhm
On-Resistance RDS(on) Max @ VGS=10V — 1.45 mOhm
Power Dissipation (Ta) — 2.5 W
Power Dissipation (Tc) — 156 W
Betriebstemperaturbereich — -55C to +150C

Datenblätter & Ressourcen

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