BSC040N08NS5ATMA1 vs BSC027N10NS5ATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von BSC040N08NS5ATMA1 von Infineon und BSC027N10NS5ATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter BSC040N08NS5ATMA1 BSC027N10NS5ATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv NRND
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $1,15 $1,10
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number BSC040N08NS5ATMA1 BSC027N10NS5ATMA1
Technology OptiMOS 5 (N-channel trench MOSFET) OptiMOS 5 (100V)
Drain-Source Voltage (VDS) 80 V 100 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) 100 A —
Maximum Drain Current (ID, Tc=25C, package-limited) 121 A —
On-Resistance (RDS(on) max, VGS=10V) 4 mOhm —
Power Dissipation (Ta=25C, 1in² PCB) 2.5 W —
Power Dissipation (Tc=25C) 104 W —
Gehäuse PG-TDSON-8-7 (SuperSO8 5x6) PG-TSON-8-3 (SuperSO8 5x6 mm)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Betriebs-Sperrschichttemperatur -55 C to +175 C —
Gate-Source Voltage (VGS) [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg typical] —
RoHS-Status Compliant Compliant
MSL-Level 1 [DATA_NEEDED: MSL rating]
Primary Application Synchronous rectification in telecom and server power supplies —
Channel Type — N-Channel
Gate-Source Voltage (VGS) Max — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 23 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 100 A
Pulsed Drain Current (IDM) — 194 A
On-Resistance RDS(on) Max at VGS=10V — 2.7 mOhm
Power Dissipation (Ta) — 3 W
Power Dissipation (Tc) — 214 W
Betriebstemperaturbereich — [DATA_NEEDED: Tj min/max]
Qualification — Industrial (AEC-Q101 variant BSC027N10NS5 exists separately)

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