BSC047N08NS3GATMA1 vs BSC076N06NS3GATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von BSC047N08NS3GATMA1 von Infineon und BSC076N06NS3GATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Infineon
BSC047N08NS3GATMA1 BSC047N08NS3GATMA1 - 80V 100A 4.7mOhm N-Ch MOSFET | Infineon

BSC047N08NS3GATMA1 - 80V 100A 4.7mOhm N-Ch MOSFET | Infineon

BSC047N08NS3GATMA1 ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter BSC047N08NS3GATMA1 BSC076N06NS3GATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,46 $0,65
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number BSC047N08NS3GATMA1 —
Technology OptiMOS™ 3 (N-channel trench) N-Channel Trench MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) max 80 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 100 A —
Continuous Drain Current (ID) at Ta 18 A —
On-Resistance RDS(on) max 4.7 mOhm at VGS=10 V —
Power Dissition (Tc) 125 W —
Power Dissipation (Ta) 2.5 W 2.5 W
Gate Threshold Voltage (VGS th) Normal level (typ 1.7 V) —
Avalanche Rated 100% tested —
Gehäuse PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6) PG-TDSON-8-5 (SuperSO8 5x6 mm)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Betriebstemperaturbereich -55 °C to +175 °C (Tj) -55C to +150C
RoHS / Halogen-Free RoHS compliant, Halogen-free —
Product Family — OptiMOS 3
Drain-Source Voltage (VDS) — 60 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 50 A
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 7.6 mΩ
On-Resistance RDS(on) max at VGS=4.5V — 10.4 mΩ
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 2.0 V to 3.5 V
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg value]
Power Dissipation (Tc) — 69 W
MSL-Level — 1 (unlimited)
RoHS Compliance — Compliant
Halogenfrei — Yes (per Infineon product page)

Datenblätter & Ressourcen

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