BSC0501NSIATMA1 vs BSC034N06NSATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von BSC0501NSIATMA1 von Infineon und BSC034N06NSATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter BSC0501NSIATMA1 BSC034N06NSATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,65 $0,65
Manufacturer Infineon —
Product Family OptiMOS 5 25V/30V —
Transistortyp N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V 60 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta 29 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 100 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: IDM] [DATA_NEEDED: IDM]
Power Dissipation at Ta (PD) 2.5 W —
Power Dissipation at Tc (PD) 50 W —
Gate-Source Voltage (VGS) ±20 V [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] [DATA_NEEDED: VGS(th)]
On-Resistance (RDS(on)) [DATA_NEEDED: RDS(on) max at 10V VGS] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg typical] [DATA_NEEDED: Qg]
Betriebs-Sperrschichttemperatur -55C to +150C —
Gehäuse PG-TDSON-8-6 (SuperSO8) PG-TDSON-8-7 (SuperSO8 5x6 mm)
Montageart Surface Mount Surface Mount
MSL-Level 1 (per JEDEC J-STD-020) [DATA_NEEDED: MSL level]
RoHS-Status Compliant Compliant
Avalanche Rated Yes —
Technology Trench-gate OptiMOS 5 OptiMOS 5
Polarity — N-Channel
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 100 A
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 3.4 mOhm
On-Resistance RDS(on) max at VGS=4.5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5V]
Power Dissipation at Ta=25C — 2.5 W
Power Dissipation at Tc=25C — 74 W
Betriebstemperaturbereich — -55C to +150C

Datenblätter & Ressourcen

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