BSC0501NSIATMA1 vs BSC0993NDATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von BSC0501NSIATMA1 von Infineon und BSC0993NDATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter BSC0501NSIATMA1 BSC0993NDATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,65 $1,32
Manufacturer Infineon Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 5 25V/30V —
Transistortyp N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V —
Continuous Drain Current (ID) at Ta 29 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 100 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: IDM] —
Power Dissipation at Ta (PD) 2.5 W —
Power Dissipation at Tc (PD) 50 W —
Gate-Source Voltage (VGS) ±20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] —
On-Resistance (RDS(on)) [DATA_NEEDED: RDS(on) max at 10V VGS] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg typical] [DATA_NEEDED: Qg value]
Betriebs-Sperrschichttemperatur -55C to +150C —
Gehäuse PG-TDSON-8-6 (SuperSO8) PG-TISON-8
Montageart Surface Mount Surface Mount
MSL-Level 1 (per JEDEC J-STD-020) [DATA_NEEDED: MSL level]
RoHS-Status Compliant Compliant
Avalanche Rated Yes —
Technology Trench-gate OptiMOS 5 OptiMOS 5 trench MOSFET
Product Series — OptiMOS 5 30V
Configuration — Dual N-Channel (Array)
Drain-Source Voltage (Vds) — 30 V
Continuous Drain Current (Id) @ Ta — 17 A
Channel Mode — Enhancement
Betriebstemperaturbereich — -55C to +150C (junction)
ESD Protection — Yes (integrated)
Lead-Free — Yes
Rds(on) max @ Vgs=10V — [DATA_NEEDED: Rds(on) value]
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) — [DATA_NEEDED: Vgs(th) value]

Datenblätter & Ressourcen

Alle Produkte durchsuchen BOM erstellen Angebot anfordern