BSC0504NSIATMA1 vs BSC027N04LSGATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von BSC0504NSIATMA1 von Infineon und BSC027N04LSGATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter BSC0504NSIATMA1 BSC027N04LSGATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,00 $0,54
Transistortyp N-channel MOSFET N-Channel MOSFET
Drain-to-Source Voltage 30 V —
Continuous Drain Current at Ta 21 A —
Continuous Drain Current at Tc 72 A —
Power Dissipation at Ta 2.5 W —
Power Dissipation at Tc 30 W —
Technology Family OptiMOS 5 —
Gehäuse PG-TDSON-8-6 PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Anzahl der Pins 8 pins —
Exposed Pad Yes, according to distributor package description —
On-State Resistance [DATA_NEEDED: on-state resistance] —
Gate Charge [DATA_NEEDED: gate charge] —
Gate-Schwellenspannung [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] —
Wärmewiderstand [DATA_NEEDED: thermal resistance] —
Betriebstemperaturbereich [DATA_NEEDED: operating temperature range] -55°C to +150°C
AEC-Q100 Qualification [DATA_NEEDED: AEC-Q100 qualification] —
RoHS-Status unknown Compliant
Lead-Free Status unknown —
Halogen-Free Status unknown —
REACH Status unknown —
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Family — OptiMOS 3
Drain-Source Voltage (VDS) — 40 V
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25°C — 24 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C — 100 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 2.7 mΩ
Power Dissipation (Ta=25°C) — 2.5 W
Verlustleistung (TC=25°C) — 83 W
Technology — OptiMOS 3 (Trench)
MSL-Level — 1
Halogenfrei — Yes

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