BSC060P03NS3EGATMA1 vs IRF4905STRRPBF Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von BSC060P03NS3EGATMA1 von Infineon und IRF4905STRRPBF von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter BSC060P03NS3EGATMA1 IRF4905STRRPBF
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,38 $0,94
Polarity P-Channel P-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) -30 V -55 V
Continuous Drain Current (Ta) 17.7 A —
Continuous Drain Current (Tc) 100 A —
On-State Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 6 mΩ —
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ -2.5 V —
Total Gate Charge Qg @ VGS=10V 81 nC —
Input Capacitance Ciss 6.02 nF —
Output Capacitance Coss 2.81 nF —
Reverse Transfer Capacitance Crss 220 pF —
Power Dissipation (Ta) 2.5 W —
Power Dissipation (Tc) 83 W —
Betriebstemperaturbereich -55°C to +150°C —
Gehäuse PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6) D2PAK (TO-263-3)
Technology OptiMOS™ P-channel Trench HEXFET (Advanced Process)
Montageart Surface Mount Surface Mount
RoHS-Status Compliant Compliant
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — -74 A
Continuous Drain Current (ID) at TC=100C — [DATA_NEEDED: ID at TC=100C]
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
RDS(on) max at VGS=-10V — 20 mOhm
RDS(on) max at VGS=-4.5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=-4.5V]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — -2.0 V to -4.0 V
Total Gate Charge (Qg) — 120 nC
Power Dissipation (PD) at TC=25C — 170 W
Betriebs-Sperrschichttemperatur — -55 C to +175 C
Lead-Free — Yes

Datenblätter & Ressourcen

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