BSC072N08NS5ATMA1 vs BSC014N06NSATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von BSC072N08NS5ATMA1 von Infineon und BSC014N06NSATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter BSC072N08NS5ATMA1 BSC014N06NSATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,46 $0,89
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Family BSC072N08NS5 (OptiMOS 5) —
Transistortyp N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET
Technology OptiMOS 5 OptiMOS 5 (shielded-gate trench)
Drain-Source Voltage (VDS) Max 80 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 74 A 100 A
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) Max 7.2 mOhm at VGS=10V —
Power Dissipation (Ta) 2.5 W 2.5 W
Power Dissipation (Tc) 69 W 156 W
Gehäuse PG-TDSON-8-7 (SuperSO8 5x6 mm) PG-TDSON-8-17 (SuperSO8 5x6 mm)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Betriebstemperaturbereich [DATA_NEEDED: full min/max operating Tj] -55C to +150C
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: typical VGS(th) value] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: typical Qg] —
MSL-Level [DATA_NEEDED: MSL rating] 1
RoHS-Status Compliant Compliant
Shipping Pack Tape & Reel (ATMA1) —
Standard Pack Quantity 5000 —
Product Family — OptiMOS 5
Drain-Source Voltage (VDS) — 60 V
Gate-Source Voltage (VGS) Max — +/- 20 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 30 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-Resistance RDS(on) Typ @ VGS=10V — 1.4 mOhm
On-Resistance RDS(on) Max @ VGS=10V — 1.45 mOhm

Datenblätter & Ressourcen

Alle Produkte durchsuchen BOM erstellen Angebot anfordern