BSC076N06NS3GATMA1 vs BSC066N06NSATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von BSC076N06NS3GATMA1 von Infineon und BSC066N06NSATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter BSC076N06NS3GATMA1 BSC066N06NSATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,65 $0,49
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Family OptiMOS 3 —
Technology N-Channel Trench MOSFET OptiMOS 5 60 V trench-gate
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V 60 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 50 A —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 7.6 mΩ —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=4.5V 10.4 mΩ —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V ±20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 2.0 V to 3.5 V 1.7 V (typ)
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg value] 26 nC (typ)
Power Dissipation (Ta) 2.5 W —
Power Dissipation (Tc) 69 W —
Betriebstemperaturbereich -55C to +150C —
Gehäuse PG-TDSON-8-5 (SuperSO8 5x6 mm) PG-TDSON-8-6 (TDSON EP)
Montageart Surface Mount Surface Mount
MSL-Level 1 (unlimited) 1
RoHS Compliance Compliant —
Halogenfrei Yes (per Infineon product page) —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C — 64 A
Continuous Drain Current (ID) at TC=100°C — 45 A
Pulsed Drain Current (IDM) — 256 A
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) at VGS=10V — 6.6 mΩ (max)
Power Dissipation (PD) at TC=25°C — 46 W
Power Dissipation (PD) at TA=25°C — 2.5 W
Thermal Resistance, Junction-to-Case (RθJC) — 1.3 °C/W
Betriebs-Sperrschichttemperatur — -55°C to +150°C
RoHS-Status — Compliant

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