BSC077N12NS3GATMA1 vs BSC0906NSATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von BSC077N12NS3GATMA1 von Infineon und BSC0906NSATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter BSC077N12NS3GATMA1 BSC0906NSATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,71 $0,48
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Family OptiMOS 3 (120 V) —
Transistortyp N-Channel MOSFET (enhancement-mode trench) —
Drain-Source Voltage (VDS) 120 V —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max] —
Continuous Drain Current (ID) at Ta 13.4 A 18 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc 98 A 63 A
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: IDM] —
On-State Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 7.7 mΩ —
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ 2.5 V —
Total Gate Charge Qg typ [DATA_NEEDED: Qg] —
Power Dissipation (PD) at Tc 139 W —
Betriebs-Sperrschichttemperatur -55C to +150C —
Gehäuse PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6 mm) PG-TDSON-8-6 (SuperSO8, 5x6 mm)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Pin-Anzahl 8 8
MSL-Level 1 —
RoHS-Status Compliant Compliant
Automotive Grade Yes (per Infineon part number suffix / datasheet) —
FET Type — N-Channel
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 30 V
Power Dissipation at Ta — 2.5 W
Power Dissipation at Tc — 30 W
Technology — OptiMOS
RDS(on) max (typical reference) — [DATA_NEEDED: RDS(on) max @ VGS=10V]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/min/max]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg @ VGS=10V]
Betriebstemperaturbereich — -55C to +150C (junction, typical)

Datenblätter & Ressourcen

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